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母合金
半导体拉晶的重要掺杂元素
产品特点
进口12N电子极原生多晶硅，配掺高纯度硼粉（7N）级。目前广泛应用在拉单晶上的为硅硼负三合金。
母合金掺杂计算方法
电阻率P的单晶，它的头部对应的的杂质浓度为C头，多晶硅原料的重量为W，母合金的杂质浓度为C母，应掺母合金重量为M
应掺母合金重量为M =W*C头/（K*C母—C头），其中K为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数。
参数
■ 硅单晶P型10的-3次方母合金
■ 电阻率:0.007-0.009Ω/cm2
■ 杂质含量指标
硼含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
1.13*10-E19 <5*10-E16 <1.0*10-E18
■ 硅单晶P型10的-3次方母合金
■ 电阻率:0.003-0.004Ω/cm2
■ 杂质含量指标
硼含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
3.04E+19 <5E+16 <1E+18
■ 硅单晶N型10的-3次方母合金
■ 电阻率:0.002-0.005Ω/cm2
■ 杂质含量指标
磷含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
2.24*10-E19 <5*10-E16 <1.0*10-E18