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   专用硅单晶/多晶中氧碳含量自动测量系统的氧碳含量技术参数符合(符合国家GB/T1557-2006)(符合国家GB/T1558-2009)

        测试方法：把测量样品用专用硅片固定架放入仪器样品室，开始测量，计算机读取1107CM-1,SI-O-SI带特征吸收峰和607CM-1, C-SI带特征吸收峰，由峰高法计算出硅单晶中氧碳含量. 测量硅片厚度：0.04-4.0MM, 硅片检测下限：1.0X1016CM-3(常温)