ADI ADI混频器
2024-05-18 14:05  点击:577
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ADI模拟器件、ADI调制器、ADI混频器、ADI合成器、ADI模块、ADI集成电路
上海轶舜贸易有限公司供应美国ADI模拟器件、ADI调制器、ADI混频器、ADI合成器、ADI模块、ADI集成电路等全系列产品。
的高性能信号处理解决方案供应商,新推出设计用于 LTE(长期演进)和第四代(4G)蜂窝基站的高集成度 RF IC(射频集成电路)系列。LTE 是 UMTS(通用移动电信系统)标准的增强版,它被视为迈向蜂窝网络中第四代射频技术的终阶段。
当今社会,移动通信已逐渐成为人类生活不可缺少的部分,人们需要利用移动通信来进行随时随地沟通。同时,随着用户数与无线基础设施建设的快速增长,这就要求基站必须提升数据流容量(蜂窝容量),因此对射频电路的集成化以及成本都提出了更高的要求。为解决射频卡的高密度集成问题,ADI 公司推出的 ADRF660 系列混频器与 ADRF670 系列调制器将多个分立功能模块集成到单个器件,并能满足更高容量基站所需要的严苛性能,实现了这些高密度射频卡。通过这种前所未有的集成度,基站制造商可以将电路板空间显著缩小60%,并大幅降低材料清单成本。
随着移动运营商向4G 技术演进,需要具有小外形尺寸的更高密度射频卡,以支持提供连续语音和高数据速率服务。如果说3G 牌照的发放是一个令人振奋的机会,那么,我国在4G 技术的部署和研发也必将大大加快射频集成电路产品供应商迈向4G 的步伐。我国启动4G 研发已经有5年的时间,为了达到4G 网络所需要达到的速率要求,4G 至少需要3倍于现有基站的数量。如上海已经启动了研发4G 的科研项目,2010年世博会前预计可新建近千个基站。以目前3G 运行的状况,也有建议有跨过3G 直接上4G 的可能性。因此,可以预测4G 将拥有庞大的用户市场。4G 市场的发展及潜在需求需要有可实现高密度射频卡的高集成度 RF 混频器和调制器,从而提升 LTE 和4G 基站的容量和速度。ADI 公司为迎合该契机,推出了用于4G 蜂窝基站的突破性射频集成电路产品系列。ADI 一直秉承设计创新的理念,同时非常期待继续为这个快速成长且充满活力的市场服务。
“如今的3G 和 LTE 基站采用许多标准分立 RF 器件来优化发送和接收 RF 信号通路的性能,ADI 公司的 ADRF660 和 ADRF670 产品系列将射频转换功能模块整合到一个集成电路中,并且不牺牲性能,”ADI 公司线性 RF 产品部副总裁 Peter Real 表示,“这些器件采用 ADI 的 PLL/VCO 合成器、混频器和调制器技术,可以为较小外形尺寸和较高密度的宏、微和微微蜂窝基站提供业界的相位噪声性能、功耗和线性度。”
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