· SE 400adv多角度激光椭偏仪不仅能测量单晶硅样片，还能测量多晶硅样片；（我们可提供真实样片测试报告供参考，用户也可提供样片、我们帮助测量）
· SE 400adv多角度激光椭偏仪能测量实际工艺线生产的产品、即粗糙表面的“绒片”（如Textured Silicon），这是业界的；对抛光片的测量度、度也是业界一；
（我们可提供真实样片测试报告供参考，用户也可提供样片、我们帮助测量）
· SE 400adv 配有高灵敏度、低噪声探测器，特别适用于对太阳能电池粗糙表面减反膜造成的低反射光强进行测量；
· SE 400adv 可对太阳能电池粗糙表面减反膜造成的退偏因数（偏振因数）进行测量和评估，提高测量度；
· SE 400adv 配置有高稳定度补偿器，了Psi角度的测量范围为0-90°、Delta角度的测量范围为0-360°；此外补偿器可减小环境温度变化带来的影响，即使Delta为0度仍可提供zui小的漂移值和zui小的测量误差；
· SE 400adv 配置有的自动光学对准显微镜（ACT），使载物台的高度、倾斜度调整度、灵敏度达到zui高；配置有计算机控制分析器等光学组件，测量的度；
· SE 400adv 可进行40°－90°范围内的多角度测量；
· SENTECH 在设有技术服务中心，工程师都通过在德国原厂培训、具备很强的技术能力和丰富的应用经验，能为用户提供完善的售前技术支持、设备安装调试、现场使用与维护培训、售后保修维修、应用答疑等服务；
· 提供中文操作手册；
规格:
• 激光波长632.8 nm
• 150 mm (z-tilt) 载物台
• 入射角度可调，步进5º
• 自动对准镜/显微镜，用于样品校准
SE 400advanced软件特征:
• 预先定义应用
• 多角度测量
• 广泛的材料数据库
• 拟合状况的图形反馈
• 支持多种语言
基本技术指标：
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ψ, Δ度， 90° 入射角: |
δ(ψ)=0.002°, δ(Δ)=0.002° |
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长时稳定性2): |
δ(ψ)=±0.1°, δ(Δ)=±0.1° |
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膜厚度1) |
0.1Å,对100nm单晶硅片上的SiO2薄膜标准样片； |
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折射率度1) |
5×10-4对100nm单晶硅片上的SiO2薄膜标准样片； |
1) 度定义为30次测量的标准差
2) 长时稳定性定义为24小时内90°位置测量的偏差
选项
•手动（自动）x-y方向移动载物台，行程150 mm
•地貌图 选项 (x-y方向, zui大行程200 mm, 带有真空吸附接口)
•摄象头选项，用于取代目镜进行样品对准
•反射式膜厚仪FTPadvanced，光斑直径80微米（可适用于光滑透明衬底上 •模拟软件