(InGaAs) 制冷型铟镓砷探测器
2018-10-18 09:59  点击:763
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品牌:583
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——制冷型近红外探测器,使用范围:0.8-2.6μm
TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设
计,其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600,均采用进口二
级TE制冷铟镓砷探测元件,光谱响应曲线参考图如下:

 

型号列表及主要技术指标:
  型号/参数 DInGaAs1700-TE DInGaAs1900-TE DInGaAs2200-TE DInGaAs2400-TE DInGaAs2600-TE
光敏面直径(mm) 3 3 3 3 3
波长范围(nm) 800-1700 800-1900 800-2200 800-2400 800-2600
峰值响应度(A/W) 0.9 1 1.1 1.15 1.2
D*(典型值) 8.4×1013 9.1×1012 1.9×1012 9.6×1011 4.9×1011
NEP(典型值) 3.2×10-15 2.9×10-14 1.4×10-13 2.8×10-13 5.5×10-13
温控器型号 ZTC ZTC ZTC ZTC ZTC
探测器温度(℃) -40 -40 -40 -40 -40
温度稳定度(℃) ±0.5 ±0.5 ±0.5 ±0.5 ±0.5
环境温度(℃) +10~+40 +10~+40 +10~+40 +10~+40 +10~+40
信号输出模式 电流 电流 电流 电流 电流
输出信号性 正(P) 正(P) 正(P) 正(P) 正(P)
备注 制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)
推荐使用前置放大器型号:ZAMP

 

铟镓砷探测器使用建议:
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP(Page72)做为前级放大并转换为电压信号;标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度;
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统(Page79)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度;
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统(Page79)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器;
● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测,在制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)进行降温控制;


























 
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