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技术要求
典型数值在27°C
氧化层厚度1000A
辐射Vth灵敏度
辐射场 = 0.125 MV/cm : 灵敏度 = 0.09mV/rad
辐射场= 0 MV/cm : 灵敏度= 0.014mV/rad
(灵敏度在 30 krad(H2O)，在以下读写器的配置中使用一个恒量10µA)
辐射场= 0 MV/cm : 灵敏度= 0.014mV/rad
(灵敏度在 30 krad(H2O)，在以下读写器的配置中使用一个恒量10µA)
温度补偿
TVTC 2.5mV/°C
(该数据出自温度27°C-100°C线性模式中的外推Vtp数值)
(该数据出自温度27°C-100°C线性模式中的外推Vtp数值)
线性模式中Z.T.C. 数值 ~ 3µA
(Vs=Vb=0, Vds=-0.1)
(Vs=Vb=0, Vds=-0.1)
饱和模式中Z.T.C.数值 ~ 30µA
(使用以下读写器电路配置)
(使用以下读写器电路配置)
预辐射剂量计的特点
阈值电压（外推）-2.15 +/- 0.1V
Vth漂移时间（秒）2.2mV/十年
(该数据出自读写器配置强迫40µA.)
(该数据出自读写器配置强迫40µA.)
氧化层击穿电压 ~ 75V
沟道漏电流Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 10 pA
亚阈值斜率100 +/- 20 mV/十年
沟道电阻Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.3 Mohms
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