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厂家直供正向寿命试验台
系统概述
缘栅双型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）作为功率开关器件，具有载流密度大、饱和压降低等
许多优点，
但是由于其长期工作在高电压、大电流、高频开关状态等且运行环境复杂，IGBT功耗和结温频繁波动容易造成器件疲劳老化。目前外温度循环引起的器件失效机理已进行了深入研究，在此基础上正积发展功率模块寿命预测技术以提高变流器运行可靠性。
技术指标
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测试参数 VF |
0.01～20V 0.01～10V±3%±0.01V 10～20V±3%±0.1V |
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测试条件 |
正向电流：1mA～60A 直流方波 |
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脉宽 |
50uS-1mS |
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工位 |
20只 |
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测试方法 |
器件在特定温度下存储一定时间后，在设定电流后 按规定施加条件对被试器件依次进行测试，测试间 隔时间约100mS |