产品详情：KMT32B-SO8磁场角度传感器

  KMT32B-SO8磁场角度传感器是基于各向异性磁阻效应。例如，它可以在磁场强度大于25kA/m应用中独立的传感出磁场方向。包含两个平行的惠斯通电桥，每个电桥可以测量45角度。 一个平行于芯片表面(X-Y平面)的旋转磁场将产生两个独立的正弦输出信号，一个是cos(2a)，另一个是sin(2a)是和磁场方向的夹角。

类型： KMT32B-SO8磁场角度传感器
量程： 0～180°
精度： 0.05deg
输出： 频率输出
供电电源： 5V
工作温度： -40℃～+150℃
电气连接： PC板安装
特点： 霍尔效应
典型应用： 编码器，电动机，方向舵，角度测量，马达控制，机器人，相机定位，汽车，可取代电位器