检测项目 |
覆盖产品 |
检测能力 |
参考标准 |
直流参数 |
MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品; |
检测最大电压:7500V 检测最大电流:6000A |
国标,IEC |
雪崩能量 |
MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半导体器件等单管器件 |
检测最大电压:2500V 检测最大电流:200A |
美军标 |
栅极电阻 |
MOSFET、IGBT及第三代半导体器件 |
检测阻抗:0.1Ω~50Ω |
JEDEC |
开关时间 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件; |
检测最大电压:1200V 检测最大电流:200A |
美军标,国标,IEC等 |
开关时间 |
IGBT等模块产品 |
检测最大电压:2700V 检测最大电流:4000A |
国标,IEC |
反向恢复 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 |
检测最大电压:1200V 检测最大电流:200A |
美军标,国标,IEC等 |
反向恢复 |
IGBT等模块产品 |
检测最大电压:2700V 检测最大电流:4000A |
国标,IEC |
栅极电荷 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 |
检测最大电压:1200V 检测最大电流:200A |
美军标,国标,IEC等 |
长禾 半导体IGBT电参数测试实验室
2024-05-08 09:55 点击:574
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公司:西安长禾半导体技术有限公司
状态:离线 发送信件 在线交谈
姓名:蒲经理(先生)
职位:经理
电话:17792574070
手机:17792574070
传真:029-86095858
地区:陕西-西安市
地址:西安市高新区锦业路69号创新商务公寓1号楼10310室
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