CRF-APO-N&AP-XY 济南汽车配件等离子表面处理系统
2021-06-16 08:40  点击:406
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自动X/Y轴式AP等离子处理系统CRF-APO-N&AP-XY

型号(Model)
CRF-APO-N&AP-XY

电源(Power supply)

220V/AC,50/60Hz

功率(Power)

1000W /25KHz

有效处理高度(Processing height)

5-15mm

处理速度(Processing speed)

0-300mm / s

Y轴数量(Number)

1set-4 set/Y(Option)

工作气体(Gas)

Compressed Air (0.4Mpa)

产品特点:配置专业移动平台,一键式控制启动,操作简单;

可配置特制平台,满足客户多元化需求;

可选配增加低温处理系统,处理温度可达45℃以下

应用范围:主要应用于电子行业的壳印刷、涂覆、点胶等前处理,屏幕的表面处理;工业的航空航天电连接器表面清洗;通用行业的丝网印刷、转移印刷前处理等。
等离子清洗设备为何在晶圆抛光后清洗中占有重要地位
等离子清洗设备尤其是在晶圆抛光后清洗中占有重要地位


工艺技术和应用条件上的区别使得目前市场上的清洗设备也有明(显)的差异化,目前,市场上主要的清洗设备有单晶圆清洗设备、自动清洗台和洗刷机三种。在21世纪致今的跨度上来看,单晶圆清洗设备、自动清洗台、洗刷机是主要的清洗设备。
单晶圆清洗设备一般是指采取旋转喷淋的方式,用化学喷雾对单晶圆进行清洗的设备,相对自动清洗台清洗效率较低,产能较低,但有着极高的制程环境控制能力与微粒去除能力。自动工作站,也称槽式全自动清洗设备,是指在化学浴中同时清洗多个晶圆的设备优点是清洗产能高,适合大批量生产,但无法达到单晶圆清洗设备的清洗精度,很难满足在目前(顶)尖技术下全流程中的参数要求。并且,由于同时清洗多个晶圆,自动清洗台无法避免交叉污染的弊端。洗刷器也是采取旋转喷淋的方式,但配合机械擦拭,有高压和软喷雾等多种可调节模式,用于适合以去离子水清洗的工艺中, 包括锯晶圆、晶圆磨薄、晶圆抛光、研磨、CVD等环节中,尤其是在晶圆抛光后清洗中占有重要地位。
单晶圆清洗设备与自动清洗台在应用环节上没有较大差异,两者的主要区别在于清洗方式和精度上的要求,以45nm为关键分界点。简单而言,自动清洗台是多片同时清洗,的优势在于设备成熟、产能较高,而单晶圆清洗设备是逐片清洗,优势在于清洗精度高,背面、斜面及边缘都能得到有效的清洗,同时避免了晶圆片之间的交叉污染。45nm之前,自动清洗台即可以满足清洗要求,在目前仍然有所应用;而在45以下的工艺节点,则依赖于单晶圆清洗设备达到清洗精度要求。在未来工艺节点不断减小的情况下,单晶圆清洗设备是目前可预测技术下清洗设备的主流。
等离子清洗设备是贯穿半导体产业链的重要环节,用于清洗原材料及每个步骤中半成品上可能存在的杂质,避免杂质影响成品质量和下游产品性能,在单晶硅片制造、光刻、刻蚀、沉积等关键制程及封装工艺中均为必要环节。

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