可控硅反向恢复测试系统主要完成功率器件在高di/dt下反向恢复特性参数的测试。
4.2主回路参数
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序号 |
项目 |
指标范围 |
分辨率 |
误差范围 |
备注 |
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1 |
直流电源 |
100V~4000V连续 |
10V |
±3%±10V |
DC |
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2 |
支撑电容 |
≥5mF |
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±5%±5uF |
C |
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3 |
Didt调节电感 |
0.5uH~1uH~2uH；分3档手动调节 |
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±5% |
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4 |
电流采集(I1) |
CWT30B |
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6000A |
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5 |
电压采集(v+/v-) |
TEKP6015A |
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20KV |
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6 |
过流保护(I2) |
CP9600LF |
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7 |
负载电感 |
分档：50uH/100uH/200uH/500uH |
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8 |
R/C |
IGCT吸收电阻 |
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9 |
IGCT器件（Q1） |
满足电压和电流量程 |
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4.3测试参数
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序号 |
参数 |
测试范围 |
精度 |
备注 |
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1 |
-di/dt |
200 ~5000A/us |
±3% |
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2 |
VR |
0-4000V |
±3% |
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3 |
IF |
200-5000A |
±3% |
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4 |
IRR |
0~5000A |
±3% |
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注： 以上参数能够同时实现并独立可调同时能够测试反向恢复电荷Qrr、Qra，反向恢复电流IRM、反向恢复时间trr、ta，tb，s（软度因子），恢复能量Eoff。
可控硅反向恢复测试系统
4.4自动恒温压力夹具
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序号 |
项目 |
参数 |
备注 |
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1 |
工作方式 |
自动 |
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2 |
压力范围 |
10～130KN分辨率0.1 KN；精度±5% |
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3 |
温度控制范围 |
70～180℃，分辨率0.1℃ |
高压阳极控温器采用非接触式测温 |
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参数 |
项目 |
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*正向电流 |
范围：200-5000A，连续可调； ±3%±2A； |
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*二极管电压 |
范围：300-4000V，连续可调； ±3%±2V； |
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反向恢复电流测量范围 |
范围：200-5000A，连续可调； ±3%±10A |
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反向恢复电荷测量范围 |
200-35000μC±3%±10μC |
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反向恢复时间测量范围 |
0.01-40μs±3%±0.05μs |
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反向恢复能量测量范围 |
0.1-1000J±3%±0.1J |
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*可选电感 |
0.2、0.5、1、2、3μH可选 |
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电流变化率 |
500A/μs-2500A/μs 可调 |
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(安徽科研院所)
可控硅反向恢复测试系统