可控硅动态关断时间测试仪
主要完成功率器件的开通特性、关断特性以及极限关断特性参数的测试。
本技术规格书ZY-Eon适用于IGCT功率半导体标准动态特性测试台（下面简称测试台），规定了测试台的主要技术要求，参数范围，操作流程，试验方法及检验规则等。
本技术规范并未对一切技术细节做出规定，所提供的货物应符合工业标准和本技术规范中所提要求。
1. 引用标准[滨1]GB/T 15291-2015 半导体器件 第6部分：晶闸管
JB/T 7624-2013 整流二极管测试方法
JB/T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法
以及国标、IEC、IEEE相关标准，以上标准均执行最新版本。如本技术规范与上述各标准之间有矛盾，则应满足较高标准。
可控硅动态关断时间测试仪
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序号 |
项目 |
参数 |
备注 |
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1 |
常规开通 |
通态电流 |
范围：200-10000A，连续可调； |
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主电容电压 |
范围：300-7000V，连续可调； |
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最大导通电流宽度设定范围 |
10μs-5ms |
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上升时间测量范围 |
0.01-20μs±3%±0.05μs |
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开通反馈延迟时间测量范围 |
0.01-20μs±3%±0.05μs |
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开通延迟时间测量范围 |
0.01-20μs±3%±0.05μs |
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开通能量测量范围 |
0.01-200J±3%±0.1J |
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开通di/dt测量范围 |
10-5000A/μs±3%±10A/μs |
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2 |
常规关断 |
最大关断电流 |
范围：200-10000A，连续可调； |
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关断反馈延迟时间测量范围 |
0.01-20μs±3%±0.05μs |
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关断延迟时间测量范围 |
0.01-40μs±3%±0.05μs |
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关断能量测量范围 |
0.01-1000J±3%±0.1J |
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断态电压上升率测量范围 |
10-5000V/μs±3%±10V/μs |
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断态电流下降率测量范围 |
10-10000A/μs±3%±10A/μs |
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*主回路寄生电感 |
≤300nH |
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3 |
极限关断 |
最大关断电流 |
范围：＜20000A； |
设备能力 |
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4 |
数据采集和处理单元 |
示波器 |
带宽不低于500MHz，采样率不低于6.5Gs/s |
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试品控制方式 |
光纤控制 |
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序号 |
项目 |
参数 |
备注 |
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1 |
工作方式 |
自动，气动 |
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2 |
压力范围 |
10～130KN；分辨率0.1 KN，精度±5%±1KN。 |
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3 |
温度控制范围 |
70～180℃，分辨率0.1℃；
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高压阳极控温器采用非接触式测温 |
可控硅动态关断时间测试仪